AIN氮化鋁陶瓷因具有高的熱導(dǎo)率(室溫下理論熱導(dǎo)率為319W/(mK)、低的介電常數(shù)(25℃為8.8MHz)、與Si相匹配的熱膨脹系數(shù)(20-400℃時(shí)為4.3×10-6/℃)、良好的絕緣性(25℃時(shí)電阻率大于1014Ω.cm)然而,AlN陶瓷屬于共價(jià)化合