氮化鋁陶瓷薄膜的應(yīng)用前景

   氮化鋁AIN陶瓷結(jié)構(gòu)和成份主要是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。鈞杰陶瓷專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、碳化硅特種陶瓷件.公司以高起點(diǎn)、高質(zhì)量為標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)格的選材和生產(chǎn)工藝的標(biāo)準(zhǔn)化,保證了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定,產(chǎn)品廣泛用于紡織、電子、電器、機(jī)械、航空、航天等領(lǐng)域.想進(jìn)一步了解我們的產(chǎn)品，可以直接來(lái)我們公司進(jìn)行更深一步的了解。咨詢(xún)鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：134 128 56568。

化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無(wú)色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。

 
性能：AIN陶瓷的性能與制備工藝有關(guān)。 如熱壓燒結(jié)AIN陶瓷，其密度為3 .2一3 .3g/cm3，抗彎強(qiáng)度350一400 MPa(高強(qiáng)型900 MPa)，彈性模量310 GPa，熱導(dǎo)率20-30W.m(-1).K(-1)，熱膨脹系數(shù)5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。機(jī)械加工性和抗氧化性良好。
 
應(yīng)用：氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜。 利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。由于AIN陶瓷具有高導(dǎo)熱、高絕緣性，可作為半導(dǎo)體的基體材料，其熱阻與氧化被陶瓷相當(dāng)，比氧化鋁陶瓷低很多，可用作散熱片、半導(dǎo)體器件的絕緣熱基片，提高基片材料散熱能力和封裝密度，可用于雙列直插式封裝、扁平封裝氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。

氮化鋁AlN陶瓷一般指高溫共燒陶瓷，具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)晶體，導(dǎo)熱率高，熱  膨脹系數(shù)與Si和GaAs匹配。介電常數(shù)，介質(zhì)損耗、介電強(qiáng)度優(yōu)良，機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高，可以常壓在1600°C燒結(jié)，是一種高功率集成電路基片的 未來(lái)使用材料。
 
氮化鋁AlN產(chǎn)品、HTCC高溫共燒陶瓷HTCC高溫共燒陶瓷元器件與氮化鋁AlN產(chǎn)品都是指產(chǎn)品的燒結(jié)化溫度達(dá)至1,600°C或以上。HTCC高溫共燒陶瓷元器件與氮化鋁AlN產(chǎn)品因膜厚關(guān)系，流延膜的干燥時(shí)間必須較長(zhǎng)。因此必須使用水平式流延機(jī)，配合可調(diào)式溫度和風(fēng)量設(shè)置。此外，由于燒結(jié)溫度較高，必須使用鉬板作為承燒板及鎢漿作為電極材料。工藝技術(shù)難度水平要求比一般低溫?zé)Y(jié)產(chǎn)品為高。高溫?zé)Y(jié)爐大部份需要還原氣氛，所以爐價(jià)非常高昂，工序更為繁復(fù)，燒結(jié)后的產(chǎn)品更加需要推板爐作整平處理。