氮化鋁陶瓷材料的應(yīng)用有哪些

  材料的進(jìn)步其實(shí)是工業(yè)進(jìn)步的一個(gè)明顯的標(biāo)志，對(duì)新材料的掌控使用的能力，其實(shí)是生產(chǎn)力的一個(gè)重要的啟示，氮化鋁這種陶瓷材料
的性能優(yōu)良，同時(shí)應(yīng)用也是非常的廣泛，鈞杰陶瓷是專業(yè)加工各種陶瓷材料的加工廠家，對(duì)氮化鋁這種材料也是非常熟悉，為您介紹氮
化鋁陶瓷材料的應(yīng)用有哪些。
1.氮化鋁陶瓷作為基片材料
大多數(shù)陶瓷是離子鍵或共價(jià)鍵極強(qiáng)的材料，具有優(yōu)異的綜合性能，是電子封裝中常用的基片材料，具有較高的絕緣性能和優(yōu)異的高頻特
性，同時(shí)線膨脹系數(shù)與電子元器件非常相近，化學(xué)性能非常穩(wěn)定且熱導(dǎo)率高。1985年~1988年期間興起了氮化鋁在微電子包封材料方面的
應(yīng)用。原來(lái)長(zhǎng)期絕大多數(shù)大功率混合集成電路的基板材料一直沿用氧化鋁和氧化鈹陶瓷，但氧化鋁基本的熱導(dǎo)率低，熱膨脹系數(shù)和硅不
太匹配；氧化鈹雖然具有優(yōu)良的綜合性能，但其較高的生產(chǎn)成本和劇毒的缺點(diǎn)限制了它的應(yīng)用推廣。因此，從性能、成本和環(huán)保等因素
考慮，二者已不能完全滿足現(xiàn)代電子功率器件發(fā)展的需要。

2.氮化鋁陶瓷作為電子膜材料
電子薄膜材料是微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的基礎(chǔ)，因而對(duì)各種新型電子薄膜材料的研究成為眾多科研工作者關(guān)注的熱點(diǎn)。氮化鋁于19世
紀(jì)60年代被人們發(fā)現(xiàn)可作為電子薄膜材料，并具有廣泛的應(yīng)用。近年來(lái)，以ⅢA族氮化物為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料和電子器件發(fā)展迅猛
，被稱為繼以Si為代表的第一代半導(dǎo)體和以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體之后的第三代半導(dǎo)體。氮化鋁陶瓷作為典型性的ⅢA族氮化物得到
了越來(lái)越多國(guó)內(nèi)外科研人員的重視。 
3.氮化鋁陶瓷作為坩堝或耐火材料的涂層
氮化鋁所具有的耐腐蝕性能，可被熔融鋁浸潤(rùn)但不能與之反應(yīng)，包括銅、鋰、鈾、鐵在內(nèi)的化合物合金以及一些超耐熱合金；并且氮化
鋁對(duì)碳酸鹽、低共熔混合物、氯化物、冰晶石等許多熔鹽穩(wěn)定。因此可以被制成坩堝或耐火材料的涂層。
氮化鋁可用作真空蒸發(fā)和熔煉金屬的容器，特別適于真空蒸發(fā)Al的坩堝，氮化鋁陶瓷在真空中加熱雖然蒸氣壓低，但即使分解，也不會(huì)
污染鋁。氮化鋁陶瓷也可以作熱電偶保護(hù)套，在空氣中800~1000℃鋁池中連續(xù)浸泡3000h以上也沒有侵蝕破壞。在半導(dǎo)體工業(yè)中，用氮化
鋁陶瓷坩堝代替石英坩堝合成砷化鎵，可以完全消除Si對(duì)砷化鎵的污染而得到高純產(chǎn)品。 

  氮化鋁的多種優(yōu)異性能決定了其多方面應(yīng)用，作為壓電薄膜，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用；作為電子器件和集成電路的封裝、介質(zhì)隔離和卷圓材
料，有著重要的應(yīng)用前景；作為藍(lán)光、紫外發(fā)光材料也是目前的研究熱點(diǎn)；作為高聚物材料，可用來(lái)固定模具、制作膠黏劑、熱潤(rùn)滑脂
和散熱墊……經(jīng)過市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展開發(fā)，氮化鋁陶瓷材料的應(yīng)用范圍將會(huì)越來(lái)越廣。鈞杰陶瓷專門加工各種氮化鋁陶瓷工件，加工精
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